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TSEA

TSEA252008
TSEA252008
緊湊小體積一體成型電感

大電流和低損耗的金屬材料一體壓鑄

高性能(Isat)由金屬粉塵芯實(shí)現(xiàn),低損耗由低Rdc實(shí)現(xiàn)

閉合磁路設(shè)計(jì)減少泄漏磁通量

乙烯熱噴涂,更好的表面致密性

極小體積一體成型電感

工作溫度:-55℃~+125℃

適用通信設(shè)備、平板電腦、智能手機(jī)、便攜式游戲機(jī)、智能穿戴、Wi-Fi模塊等

外觀尺寸Outline dimension

TSEA252008

外觀尺寸參數(shù)Appearance size / 單位:mm

◆  A:2.5±0.2   ◆  B:2.0±0.2   ◆  C:0.8±0.2   ◆  D:0.80Max.   ◆  E:0.85±0.2   ◆  a:2.6   ◆  b:2.1   ◆  c:0.7  

電氣特性Electrical characteristics / 單位:mm

型號(hào)/NO

L/uH

DCR(mΩ)

Irms

(Amperes)

Isat

(Amperes)

PDF

TSEA252008-R47MB
0.47
27.00
6.50
6.00
TSEA252008-1R0MB
1.00
40.00
4.30
4.50
TSEA252008-1R5MB
1.50
75.00
3.40
3.50
TSEA252008-2R2MB
2.20
77.00
3.00
3.00
TSEA252008-3R3MB
3.30
180.00
2.50
2.50
TSEA252008-4R7MB
4.70
215.00
2.00
1.90
TSEA252008-100MB
10.00
600.00
1.40
1.10

注釋

■  K表示電感值的公差為±10%,M表示電感值的公差為±20%

■  K said inductance tolerance is ±10%, M said inductance tolerance is ± 20%

■  所有數(shù)據(jù)基于環(huán)境溫度25℃條件下測(cè)試

■  All data is based on testing at an ambient temperature of 25 ℃

■  本頁(yè)面未能錄入全部或最新的數(shù)據(jù),請(qǐng)您在訂購(gòu)前向本公司咨詢(xún)精準(zhǔn)參數(shù)及樣品。

■  We were unable to input all or the latest data on this page. Please consult our company for accurate parameters and samples before placing an order

■  測(cè)試條件:100KHZ/0.1V

■  Test conditions: 100KHZ/0.1V

提醒

■  保存條件:溫度 5~40°C,相對(duì)濕度小于等于 70%。

■  Storage conditions: Temperature between 5-40 ° C, relative humidity less than or equal to 70%.

■  產(chǎn)品儲(chǔ)存期不建議超過(guò) 12 個(gè)月

■  The storage period of the product is not recommended to exceed 12 months

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